Ang pormulasyon alang sa coarse, medium, ug fine SiC particles kinahanglan nga 5:1:4. Ang Black SiC kasagarang gipili isip hilaw nga materyales alang sa paghimo sa silicon carbide brick; ang kemikal nga komposisyon niini mao ang mosunod: SiC 98.0%, libre nga C 0.5%, Fe 0.2%, ug libre nga SiO₂ 0.6%. Ang mga proseso sa paggama lainlain depende sa pamaagi sa pagbugkos. Mubo nga mga outline sa mga proseso alang sa lain-laing mga pamaagi sa bonding mao ang mosunod:
(1) Silicon nitride-bonded silicon carbide bricks: Mga berdeng lawas nga naporma gikan sa coarse, medium, ug fine SiC nga mga partikulo ug pino nga silicon powder gipabuto sa purong N₂ atmospera sa 1370 degree. Naghimo kini og brick nga adunay -SiC skeleton ug - ug -Si₃N₄ matrix. Gamay nga kantidad sa nahabilin nga silicon ug SiO₂ nagpabilin sa matrix; ang relatibong sulod niini nga mga sangkap managlahi sa tiggama.
(2) Silicon carbide bricks: SiC, silicon powder, ug carbon powder gisagol ug gihulma sumala sa usa ka piho nga ratio, dayon gipabuto sa 1400℃sa usa ka pagkunhod sa atmospera. Sa kadaghanan nga mga kaso, ang pagpabuto gihimo gamit ang mga tisa nga gilubong sa carbon. Atol sa pagpabuto, usa ka brick nga adunay -SiC skeleton ug usa ka pinong-grained -SiC matrix ang gihimo. Ang -SiC naporma pinaagi sa reaksyon sa pinong silicon powder nga adunay pinong carbon powder atol sa pagpabuto; kini nga produkto usab adunay gamay nga kantidad sa nahabilin nga silicon ug carbon.
(3) Silicon oxynitride-bonded silicon carbide bricks: Sa pag-andam sa batch alang niini nga mga brick, ang proporsiyon sa pinong silicon powder nga gigamit mas ubos kaysa sa silicon carbide.